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| 常用的賀德克壓力傳感器選用N型硅片作為基片 |
| 點擊次數(shù)：1012 更新時間：2020-06-26 |
| 賀德克壓力傳感器可分為兩類,，一類是根據(jù)半導(dǎo)體PN結(jié)（或肖特基結(jié)）在應(yīng)力作用下,，I-υ特性發(fā)生變化的原理制成的各種壓敏二極管或晶體管。這種壓力敏感元件的性能很不穩(wěn)定,，未得到很大的發(fā)展,。另一類是根據(jù)半導(dǎo)體壓阻效應(yīng)構(gòu)成的傳感器，這是賀德克壓力傳感器的主要品種,。早期大多是將半導(dǎo)體應(yīng)變片粘貼在彈性元件上,，制成各種應(yīng)力和應(yīng)變的測量儀器。60年代,，隨著半導(dǎo)體集成電路技術(shù)的發(fā)展,，出現(xiàn)了由擴散電阻作為壓阻元件的賀德克壓力傳感器。這種壓力傳感器結(jié)構(gòu)簡單可靠,，沒有相對運動部件,，傳感器的壓力敏感元件和彈性元件合為一體，免除了機械滯后和蠕變,，提高了傳感器的性能,。 半導(dǎo)體具有一種與外力有關(guān)的特性，即電阻率（以符號ρ表示）隨所承受的應(yīng)力而改變,，稱為壓阻效應(yīng),。單位應(yīng)力作用下所產(chǎn)生的電阻率的相對變化，稱為壓阻系數(shù),，以符號π表示,。以數(shù)學(xué)式表示為墹ρ/ρ=πσ 式中σ表示應(yīng)力,。半導(dǎo)體電阻承受應(yīng)力時所產(chǎn)生的電阻值的變化（墹R/R），主要由電阻率的變化所決定,，所以上述壓阻效應(yīng)的表達(dá)式也可寫成墹R/R=πσ 在外力作用下,，半導(dǎo)體晶體中產(chǎn)生一定的應(yīng)力（σ）和應(yīng)變（ε），它們之間的相互關(guān)系,，由材料的楊氏模量（Y）決定,，即Y=σ/ε 若以半導(dǎo)體所承受的應(yīng)變來表示壓阻效應(yīng)，則是墹R/R=Gε G稱為壓力傳感器的靈敏因子,，它表示在單位應(yīng)變下所產(chǎn)生的電阻值的相對變化,。 壓阻系數(shù)或靈敏因子是半導(dǎo)體壓阻效應(yīng)的基本物理參數(shù)。它們之間的關(guān)系正如應(yīng)力與應(yīng)變之間的關(guān)系一樣,，由材料的楊氏模量決定,，即G=πY 由于半導(dǎo)體晶體在彈性上各向異性，楊氏模量和壓阻系數(shù)隨晶向而改變,。半導(dǎo)體壓阻效應(yīng)的大小,，還與半導(dǎo)體的電阻率密切有關(guān)，電阻率越低靈敏因子的數(shù)值越小,。擴散電阻的壓阻效應(yīng)由擴散電阻的晶體取向和雜質(zhì)濃度決定,。雜質(zhì)濃度主要是指擴散層的表面雜質(zhì)濃度。 常用的賀德克壓力傳感器選用N型硅片作為基片,。先把硅片制成一定幾何形狀的彈性受力部件,，在此硅片的受力部位，沿不同的晶向制作四個P型擴散電阻,，然后用這四個電阻構(gòu)成四臂惠斯登電橋,，在外力作用下電阻值的變化就變成電信號輸出。這個具有壓力效應(yīng)的惠斯登電橋是壓力傳感器的心臟,，通常稱作壓阻電橋（圖1）,。壓阻電橋的特點是：電橋四臂的電阻值相等（均為R0）；電橋相鄰臂的壓阻效應(yīng)數(shù)值相等,、符號相反,；電橋四臂的電阻溫度系數(shù)相同，又始終處于同一溫度下,。圖中R0為室溫下無應(yīng)力時的電阻值,；墹RT為溫度變化時由電阻溫度系數(shù)（α）所引起的變化；墹Rδ為承受應(yīng)變（ε）時引起的電阻值變化,。
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